某半导体技术开发商家因晶圆除污生产工序产生了含氨污水，容量200吨/天。污水下除高锰酸盐指数外还具有刺激性氟化物和进样器血本属，工作难度很大大。本市排放条件条件规定要求高锰酸盐指数＜5mg/L，氟化物＜3mg/L。 电镀废水物质及来源地 晶圆洗涤废污水（主要源）：含化学需氧量200-300mg/L，氟化物50-80mg/L 刻蚀生产工序废污水：含少量铜、镍等血本属，pH值起伏大 CMP抛光废污水：含硅颗粒剂及挥发酚 治理 技艺标准流程 所采用"化学上析出+膜隔离+折点氯化"三人组合生产技术： 预清理 ：加药CaCl2除氟，掌控pH在7.5-8. 反渗透装置系统的 ：除去0.01μm以内颗粒剂物 反渗透装置到浓缩造成 ：将挥发酚浓缩提炼至1000mg/L往上 折点氯化 ：精度的控制氯加药系统量，将挥发酚图片转换为惰性气体 化合物对换 ：保障机制巨资属不合格 终究功能 化学需氧量稳定性高＜3mg/L，氟化物＜1mg/L 巨资属含量的压低论文检测限 水循环率达75% 废水产生量降低40%